Çip üretiminde yeni dönem: İlk 300 mm SiC wafer hazır
Infineon, 300 mm silisyum karbür wafer kullanarak çalışan çipler üreten ilk şirket oldu. Yeni teknoloji, wafer (yonga plakası) başına çip üretimini 2,3 kat artırıyor.
Alman yarı iletken üreticisi Infineon, Avusturya'daki fabrikasında 300 mm çapındaki silisyum karbür wafer'lar kullanarak işlevsel yarı iletkenleri üretti. Bu çalışma, tam ölçekli bir üretim tesisinde 300 mm SiC wafer ile gerçekleştirilen ilk üretim olarak kayıtlara geçti ve mevcut silikon ekipmanları kullanılarak başarıldı.
Wafer çapı verimliliği nasıl etkiliyor?
Wafer çapının artması aynı süreçte daha fazla çip elde edilmesini sağlıyor. 300 mm wafer'lar, 200 mm olanlara göre tek plakada 2,3 kat daha fazla çip üretebiliyor. Bu durum üretim verimliliğini yükseltiyor ve uzun vadede çip başına maliyetleri düşürüyor.
Silisyum karbür çipler neden önemli?
Silisyum karbür, elektrik enerjisinin daha verimli dönüştürülmesini sağlayan önemli yarı iletken malzemelerinden biri. Düşük enerji kaybı, yüksek güç yoğunluğu ve yüksek sıcaklık ile gerilim altında çalışabilmesi SiC çiplerini enerji yönetimi gerektiren sistemlerde avantajlı kılıyor.
Bu çipler elektrikli otomobillerin motor kontrol sistemlerinde, araç içi şarj cihazlarında ve şarj istasyonlarında kullanılıyor. Büyük ölçekli enerji depolama sistemleri, endüstriyel motorlar ve kesintisiz güç kaynakları da diğer kullanım alanları arasında.
Yapay zeka veri merkezlerinin artan elektrik ihtiyacı SiC teknolojisine yönelik talebi artırıyor. Bu merkezlerde katı hal transformatörleri, devre kesiciler ve güç kaynağı üniteleri gibi bileşenlerde silisyum karbür kullanılabiliyor. Infineon, söz konusu uygulamalara yönelik ürünlerini CoolSiC markası altında sunuyor. Şirket, 300 mm SiC teknolojisinin seri üretime geçiş zamanını müşterileri ve iş ortaklarıyla birlikte belirleyecek. Bu çalışmalar sürerken mevcut 200 mm SiC üretim planı da devam edecek.
Infineon, Almanya'nın Dresden kentindeki tesisinde 300 mm SiC wafer'lar için Cold Split teknolojisini başarıyla test etti. Geleneksel yöntemde silisyum karbür kristalleri tel kullanılarak ince plakalar halinde kesiliyor. Cold Split ise kristali daha az malzeme kaybıyla ayırırken işlem süresini önemli ölçüde kısaltıyor. Böylece aynı kristalden daha fazla wafer elde edilebiliyor. Daha az malzeme kaybı ve daha kısa üretim süresi, maliyetlerin ve üretim için gereken yatırımların azaltılmasına katkı sağlayabilir.